irs2101是高电压、高速度力量mosfet和igbt驱动程序和独立的高端和下部引用输出通道。专有的hvic和门闩cmos技术实现加固的整体结构。输入的逻辑与标准cmos兼容或lsttl输出，降至3.3 v逻辑。

大额定参数表明持续超过这个限制可能发生损坏设备。所有的电压电压参数引用的com。热阻和功耗评级是衡量

在董事会下安装和静止空气条件

高输出驱动特性电流缓冲阶段为小驱动程序设计cross-conduction。流动通道可以使用驱动一个n沟道功率mosfet和igbt在高端配置运营600 v。

流动通道为引导操作而设计的?全面运作+ 600 v?宽容负面瞬变电压、dv / dt?门驱动供应范围从10 v 20 v?欠压锁定?3.3 v，5 v 电源驱动，15 v逻辑输入兼容?匹配渠道的传播延迟?输出与输入阶段

智能同步整流控制ic-ir1166/7a-b则是一款能从电源变压器二次侧检测信号作智能式同步整流的控制ic，它不仅不需要从初级侧传输信号 代理irs2101电源驱动，而且能适应多种电路拓朴 代理irf540电源驱动，适应定频pwm及变频pwm，因此它的问世及应用是开关电源技朮的又一大进步。适应反激变换器的dcm，crm及ccm三种模式工作。适应llc式半桥。 * 高500khz工作频率。?
* 总计7a(ir1166为4a)的输出驱动及关断峰值电流（2a源出5a漏入）的能力。?
* 栅驱动输出电压在10.7v～14.5v。50ns关断比例延迟。 * ?vcc电压从11.3v～20v。 * 直接检测mosfet的源漏电压。?
* 符合低于1w的 standby能量之星的要求。?
i r1167系在开关电源二次侧于驱动同步整流mosfet的控制ic，且50ns关断比例延迟。 * ?vcc电压从11.3v～20v。 * 直接检测mosfet的源漏电压。?
* 符合低于1w的 standby能量之星的要求。?
i r1167系在开关电源二次侧于驱动同步整流mosfet的控制ic，且

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